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臺積電投資194億美元用于3nm制程工藝
來源: | 作者:dingruikeji | 發布時間 :2019-03-27 | 1223 次瀏覽: | 分享到:
近日,臺積電公布了3nm制程工藝計劃,目前臺南園區的3nm晶圓工廠已經通過了環評初審,臺積電計劃投資6000億新臺幣(約為194億美元),2020年開始建廠,2021年完成設備安裝,預計最快2022年底到2023年初投產,3nm廠完成后預計雇用員工達四千人。

臺積電的7nm工藝今年已經量產了,首發的7nm芯片是嘉楠耘智的ASIC礦機芯片,采用該工藝的芯片還有蘋果的A12、海思麒麟980以及AMD、NVIDIA的7nm CPU/GPU芯片。與16nm FF工藝相比,臺積電的7nm工藝(代號N7)將提升35%的性能,降低65%的能耗,同時晶體管密度是之前的三倍。2019年初則會推出EUV工藝的7nm+(代號N7+)工藝,晶體管密度再提升20%,功耗降低10%,不過性能沒有變化。

在5nm節點上,臺積電將投資250億美元用于發展5nm工藝,預計2019年試產,2020年量產。與初代7nm工藝相比,臺積電的5nm工藝大概能再降低20%的能耗,晶體管密度再提高1.8倍,至于性能,預計性能提升15%,如果使用新設備的話可能會提升25%。

在3nm節點上,臺積電也公布了相關計劃,去年表態稱投入了數百名工程師資源進行早期研發,而晶圓工廠也將落戶南科臺南園區,占地28公頃,位置緊鄰臺積電的5nm工廠。目前臺灣環保部門已經通過了“臺南科學園區二期基地開發暨原一期基地變更計畫環差案”的初審,預計在2020年交地給臺積電建設工廠。

南科管理局長林威呈表示,由于園區產業的發展需求,為了確保世界先進制程的領先優勢,提出了“臺南科學園區二期基地開發暨原一期基地變更計劃環差案”,一方面檢討園區土地使用分區計劃,另一方面也是為了引進先進制程的需求,提出園區用水量、用電量、污水放流量、土方等的變更。

南科管理局提出報告,為了滿足臺積電3nm建廠需要,南科臺南基地,每日用水量將由25萬噸增至32.5萬噸,用電量則由222萬瓦增至299.5萬瓦;推估此次變更后,溫室氣體排放量一年增加427萬噸。臺積電一開始就承諾,在市場供給機制的完善下,3nm廠新增用電量將隨著量產時程,逐年取得20%用電度數的再生能源,預估每年最高可減少約85.41萬噸的二氧化碳當量。


3nm技術可以說已經接近半導體工藝的物理極限,而其目前也處于實驗室階段,臺積電資深處長莊子壽坦言:“3nm制程技術難度高,是很大挑戰?!?/span>
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